Cálculo de disipadores para semiconductores

Las pérdidas de potencia del dispositivo se tornan en calor e incrementan la temperatura de juntura dentro del chip. 

Esto degrada las características del dispositivo y acorta su vida, es importante que el calor producido desde la juntura del chip escape al exterior para disminuir la temperatura de juntura. 

La impedancia termal mide la capacidad del dispositivo de disipar calor en un sistema donde están involucradas varias partes como muestra la figura.

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Drivers para mosfet e igbt

Durante las conmutaciones de encendido y apagado es necesario cargar y descargar las diferentes capacidades parásitas de los transistores, por lo que dichas conmutaciones se verán fuertemente influenciadas por estas capacidades y por la resistencia de compuerta.

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Conmutación de transistores Mosfet e Igbt

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Ejercicios sobre conmutación de transistores mosfet

Igbt

El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee la características de las señales de puerta de los transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y baja tensión de saturación del transistor bipolar. El circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las características de conducción son como las del BJT.

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Hojas de datos

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Mosfet

Los MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) más utilizados en electrónica de potencia son los canal N, su operación se reduce a interruptor electrónico, es decir, en corte y saturación. La ventaja de este dispositivo en relación con el BJT es su polarización en tensión y alta impedancia de entrada. Es unidireccional en corriente y requiere siempre la presencia de la señal en el gate para su operación.

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Diodo de potencia

Los diodos de potencia se caracterizan porque en estado de conducción, deben ser capaces de soportar una alta intensidad con una pequeña caída de tensión. En sentido inverso, deben ser capaces de soportar una fuerte tensión negativa de ánodo con una pequeña intensidad de fugas.

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Apuntes
Hojas de datos STTA806D
Hojas de datos MUR1620CT

Archivo en pdf con ejercicios varios sobre los diodos de potencia.

Ejercicios
Ejercicios 1